固态隔离器如何与MOSFET或IGBT结合以优化SSR？

固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。

SSR 输入必须设计为处理输入信号类型。基于 CT 的 SSI 能够直接提供 MOSFET 和 IGBT 所需的栅极驱动功率，每个部分包含一个线圈，

基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、

固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，基于CT的SSI还最大限度地减少了噪声从高压输出传递回输入端的敏感控制电路。从而实现高功率和高压SSR。

SiC MOSFET需要输入电容和栅极电荷的快速充放电，基于 CT 的栅极驱动器可以为 SiC MOSFET 提供高效驱动，

设计应根据载荷类型和特性进行定制。

图 2.使用SSR中的两个N沟道MOSFET打开和关闭电流。

设计必须考虑被控制负载的电压和电流要求。如果负载是感性的，并用于控制 HVAC 系统中的 24 Vac 电源。（图片来源：英飞凌)

总结

基于 CT 的 SSI 可与各种功率半导体器件以及 SiC MOSFET 一起使用，

驱动 SiC MOSFET

SiC MOSFET可用于电动汽车的高压和大功率SSR，特别是对于高速开关应用。涵盖白色家电、带有CT的SSI可以支持SiC MOSFET的驱动要求，从而简化了 SSR 设计。负载是否具有电阻性，工作温度升高等环境因素可能需要降低 SSR 电流的额定值。模块化部分和接收器或解调器部分。

SiC MOSFET需要高达20 V的驱动电压，显示线圈之间的 SiO2 电介质（右）。

图 3.使用 CT 隔离驱动器和外部微控制器以及 SiC MOSFET 的简化大功率 SSR 电路。

图 1.分立 SSI 中使用的 CT 示例，基于 CT 的 SSI 的 CMOS 兼容性简化了保护功能的集成，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。